8月23日，在第七届光电子集成芯片立强大会现场，陕西光电子先导院科技有限公司首次对外公开西北首条8英寸硅光中试平台量产级核心工艺数据，同步发布 LPSIN400低损耗氮化硅工艺平台及配套工艺设计套件，正式面向全产业链开放流片服务，并公布部分SOI无源工艺平台核心实测数据。

　　“此次公开的量产级核心工艺数据，是8英寸硅光中试平台2025年稳定运营以来，首次系统性向行业共享成熟工艺参数。”陕西光电子先导院科技有限公司副总经理付鹏说，此举补齐了陕西硅光集成领域中试产业化关键短板，为人工智能算力、高速光互连、光计算等前沿场景的国产光电子芯片研发降本增效。

　　陕西光电子先导院科技有限公司由中国科学院西安光机所联合省科技厅、西安高新区管委会于2015年发起组建，建成集工艺研发、中试流片、中试验证、产学研协同于一体的完整光子产业中试服务体系。2025年，陕西光电子先导院科技有限公司入选工信部首批国家级制造业中试平台，是国内首家聚焦光子集成领域的国家级中试载体。

　　2021年，陕西在国内率先发布“追光计划”。经过5年发展，陕西光子企业总数由2021年的191家增长到2025年的409家，增长114%；总产值由2021年的150亿元提升到2025年的410亿元，增长173%。

　　2023年，陕西光电子先导院科技有限公司建设的6英寸化合物光电芯片产线顺利通线，目前已经累计服务客户80余家；2025年稳定投运的8英寸硅光产线，可全面支撑高速光模块收发芯片的技术迭代、样品验证与小批量量产。

　　大会现场，陕西光电子先导院科技有限公司工艺整合研发团队公开多项关键量产工艺指标。其中，自研2×2MMI多模干涉耦合器实现C+L波段全覆盖，器件插入损耗、信号不平衡度均控制在高标准区间；SOI无源工艺平台关键技术指标同步对外开放，为国内硅光设计企业提供标准化、可落地的工艺参考依据。

　　业内参会企业技术负责人表示，波导损耗、MMI插损等核心参数直接决定光芯片良率与产品性能，平台公开量产级实测数据，充分印证了工艺体系的稳定性与成熟度。据测算，依托陕西光电子先导院科技有限公司8英寸硅光中试平台，企业研发迭代周期可压缩至2至3个月，综合研发成本降至海外的三分之一以内，有效破解了国内硅光企业“建不起产线、验证难、产能受限、市场风险高”的行业痛点。

　　陕西光电子先导院科技有限公司硅光工艺集成部工艺整合研发工程师李雪童说，同步亮相的LPSIN400低损耗氮化硅工艺平台及配套工艺设计套件即日起对外提供流片服务，精准适配高速光模块及智算中心高速光互连产业需求，加速前沿光电子产品落地应用。（群众新闻记者 苏怡）